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SUD17N25-165
Vishay Siliconix
N-Channel 250-V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) r DS(on) ( Ω )
250 0.165 at V GS = 10 V
I D (A)
17
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 175 °C Junction Temperature
RoHS
COMPLIANT
D
TO-252
G
Drain Connected to Tab
G
D
S
Top View
Ordering Information: SUD17N25-165-E3 (Lead (Pb)-free)
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
250
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 175 °C) b
T C = 25 °C
T C = 125 °C
I D
17
9.8
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
Single Pulse Avalanche Current
I DM
I S
I AS
20
17
5
A
Single Pulse Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T A = 25 °C
E AS
P D
T J , T stg
1.25
136 b
3 a
- 55 to 175
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Junction-to-Ambient a
Junction-to-Case (Drain)
t ≤ 10 sec
Steady State
R thJA
R thJC
15
40
0.85
18
50
1.1
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 Board.
b. See SOA curve for voltage derating.
Document Number: 72851
S-71660-Rev. B, 06-Aug-07
www.vishay.com
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